Circuitos integrados - ICs Fabricante From China of page 417

parte #	Descripción	fabricante
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R	ISSI
Se aplican las siguientes medidas:	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400Mhz RLDRAM2	ISSI
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDRAM	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo.	DRAM 64M,3.3V,SDRAM,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V	ISSI
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.	DRAM 128M, 3.3V, 200Mhz SDR SDRAM	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 64M (4Mx16) 200MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia Europea para la Seguridad Aérea.	DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V	ISSI
S27KS0641DPBHB020 Las autoridades competentes de los Estados miembros deberán:	DRAM Nor	El ciprés semiconductor
Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 128M 16Mx8 143Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 17046.	DRAM 256M 8Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM Automotive 2G 1.8V DDR2 128Mx16 333MHz	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT	ISSI
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDRAM 3.3v	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 166Mhz 90 ball BGA	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 1.2V 2033 MT/s 4Gb 256Mx16 DDR4 SDRAM	ISSI
S27KL0641DABHB023 Las autoridades competentes deberán:	DRAM Nor	El ciprés semiconductor
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 128M, 3.3V, 166Mhz 4Mx32 SDRAM	ISSI
El número de personas que pueden participar en el programa será el número de personas que pueden participar en el programa.	DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz Leaded	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 32Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Se aplican las siguientes medidas:	DRAM M-SDRAM,128M,3.3V 166MHz,8Mx16, IT	ISSI
El número de personas a las que se refiere el artículo 5 del Reglamento (CE) n.o 1069/2009	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	DRAM Automotive 1G,1.8V 64Mx16 DDR2 SDRAM	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 1G, 1.5V, (64M x 16) 1600Mhz DDR3 SDRAM	ISSI
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz	ISSI
Se aplicará el procedimiento siguiente:	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz	ISSI
Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 17025 para la evaluación de la calidad de los productos.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS	ISSI
Las condiciones de los productos de la categoría A se aplicarán a los productos de la categoría B.	DRAM 1G 128Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V	ISSI
El número de personas que pueden participar en el programa es el número de personas que pueden participar.	DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 512M, 2.5V, 166Mhz 32Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS	ISSI

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