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Circuitos integrados - ICs
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Se trata de una medida de seguridad. |
Digital Potentiometer ICs Addressable Dual
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Maxim integrado
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El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos. |
Digital Potentiometer ICs IC 4-CH
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Dispositivos analógicos
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MCP42100-I/SL: las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros |
IC POT DGTL 100K 2CH SPI 14-SOIC
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Tecnología de microchips
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El objetivo de las medidas es: |
Digital Potentiometer ICs IC 256-pos I2C
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Dispositivos analógicos
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
Digital Potentiometer ICs CMOS EEPOT 10KOHM 32 TAPS
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Intersil
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Digital Potentiometer ICs IC 6-Bit NV I2C
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Dispositivos analógicos
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia. |
Digital Potentiometer ICs ISL90462TIE627Z DCP VOLATILE 100KOHM S
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Intersil
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MCP4252-502E/MF: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. |
Digital Potentiometer ICs Digital Pot 256 step SPI dual Ch
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Digital Potentiometer ICs 10-Bit Dual NV Linear-Taper
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Maxim integrado
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2 |
Digital Potentiometer ICs 256-Tap, Nonvolatile, I C-Interface, Digital Potentiometers
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Maxim integrado
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MCP4241T-502E/ML |
Digital Potentiometer ICs Dual 7B NV SPI POT
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Tecnología de microchips
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AD5144ABRUZ10 |
Digital Potentiometer ICs 256-pos Quad CH NVM I2C
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Dispositivos analógicos
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
IC DIG POT 10BIT 16TQFN
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Maxim integrado
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MCP4231-103E/P: el número de unidades de seguridad de las que se trate. |
Digital Potentiometer ICs Dual 7B V SPI POT
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Tecnología de microchips
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Digital Potentiometer ICs 10KOHM EEPOT(TMPOT CMOS 8LD COM
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Intersil
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
Digital Potentiometer ICs ISL90842UIV1427Z LW NOISE LW PWR I2C BUS
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Intersil
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MCP4551T-503E/MS: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción. |
Digital Potentiometer ICs Sngl 8B V I2C POT
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Tecnología de microchips
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Digital Potentiometer ICs Dual 256-step digital potentiometer, 100k ohm end to end resistance
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Maxim integrado
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MCP4651-502E/ST: el número de personas que pueden ser objeto de una solicitud de autorización. |
Digital Potentiometer ICs Dual 8B V I2C POT
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Tecnología de microchips
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
Digital Potentiometer ICs 128 TAPVOLATILE I2C SNG RNG IND DCP 10LD
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Intersil
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AD5282BRUZ200 |
Digital Potentiometer ICs IC Dual 8-Bit I2C
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Dispositivos analógicos
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MCP4652-104E/ONU: las autoridades de los Estados miembros deben tener en cuenta los requisitos de seguridad. |
Digital Potentiometer ICs Sngl 8B V I2C Rheo
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Tecnología de microchips
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MCP41100-I / SN |
Digital Potentiometer ICs 256 Step SPI 100kOhm
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Tecnología de microchips
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MCP4018T-104E/LT |
Digital Potentiometer ICs 100K I2C singl 7-bit volatile memory
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Tecnología de microchips
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AD5293BRUZ-100-RL7 y sus componentes |
IC DGTL POT 1024POS 100K 14TSSOP
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ADI / Analog Devices Inc.
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Digital Potentiometer ICs 256-pos 5v SPI 50-TP Mem Digi Rstat
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Dispositivos analógicos
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Se aplicará el método siguiente: |
DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded
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ISSI
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Las condiciones de las pruebas de seguridad se determinarán en el anexo IV. |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz
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ISSI
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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008. |
DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v
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ISSI
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
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ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
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ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM
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ISSI
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2 |
DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
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ISSI
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Se aplican las siguientes medidas: |
DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR SDRAM
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ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
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ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
DRAM 1G, 1.5V, 1600MT/s 64Mx16 DDR3
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ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DRAM 64M (2Mx32) 200MHz SDR SDRAM, 3.3V
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ISSI
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![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT
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ISSI
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![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded
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ISSI
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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ISSI
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia. |
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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ISSI
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2 |
DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
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ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
DRAM 576Mbit x9 Common I/O 300MHz Leaded IT
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ISSI
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![]() |
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3
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ISSI
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
DRAM 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
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ISSI
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz
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ISSI
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado. |
DRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3L
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ISSI
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
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ISSI
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Se aplicará el método siguiente: |
DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
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ISSI
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S27KS0641DPBHA023 Las autoridades competentes deberán tener en cuenta los siguientes elementos: |
DRAM Nor
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El ciprés semiconductor
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