Circuitos integrados - ICs Fabricante From China de la página 418

parte #	Descripción	fabricante
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Oficina de Seguridad Aérea.	DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz @CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	DRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.	DRAM 128M 4Mx32 143Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive 64M,3.3V SDRAM,2Mx32,166MHz	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDRAM 3.3v	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3 SDRAM	ISSI
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 SDRAM	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
El número de personas que pueden participar en el programa de trabajo será el siguiente:	DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 512M (32Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 512M (16Mx32) 133MHz Mobile SDRAM 1.8v	ISSI
Se aplicarán las siguientes medidas:	DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz Mobile SDRAM	ISSI
El número de personas a las que se refiere el artículo 5 del Reglamento (CE) n.o 1069/2009 es el número de personas a las que se refiere el artículo 6 del Reglamento (CE) n.o 1069/2009.	DRAM 32M, 2.5V, M-SDRAM 2Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2	ISSI
S25FL256SDSBHI213 Las condiciones de los productos de la categoría S25FL256	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Los requisitos de seguridad de los vehículos de transporte aéreo no se aplican a los vehículos de transporte aéreo.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.	Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash	Tecnología de microchips
S25FL256SDPMFIG03 Las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros y los vehículos de transporte de pasajeros	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
El número de unidades de producción será el siguiente:	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S25FL512SAGMFVG11	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S25FL256SAGBHID00: el número de personas que deben ser identificadas.	Flash Memory 256MB 3V 133MHz Serial NOR Flash	Spansion/Cypress
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Flash Memory 4.5V to 5.5V 1Mbit	Tecnología de microchips
S29WS064RABBHW000	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S25FL127SABMFIZ00	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	Flash Memory 512Mb, 3V, 133Mhz SPI NOR Flash	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la calidad.	Flash Memory 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET	ISSI
S70GL02GT11FHV013: las condiciones de los vehículos de las categorías A y B.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S70GL02GS11FHA013 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S29GL01GS10FAI013	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
El número de unidades de producción será el siguiente:	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento siguiente:	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S29GL01GT11TFIV10	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento de evaluación de los resultados de las pruebas.	Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mbit SPI Serial Flash	Tecnología de microchips
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	Flash Memory 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash	Tecnología de microchips
S29GL01GT11DHIV20	Flash Memory NOR	El ciprés semiconductor
Se trata de un sistema de control de las emisiones.	Flash Memory Nand	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos de los Estados miembros.	Flash Memory SQI Flash Memory 16Mb 1.8V	Tecnología de microchips

416 417 418 419 420