Circuitos integrados - ICs Fabricante From China of page 319

parte #	Descripción	fabricante
BLP05H6700XRY, incluidos los componentes de las mismas.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Amplifier	Qorvo
Se trata de un vehículo de la categoría N.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
A3I20X050GNR3	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Transistores discretos de potencia de RF	Ampleon los USA Inc.
A5G26H110NT4	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se trata de un documento de identificación.	Transistores discretos de potencia de RF	NXP Semiconductors
Se trata de un vehículo de la categoría "B"112	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
AFT27S006NT1	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
El número de unidad de seguridad	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de la calidad.	RF Amplifier	Qorvo
C1-12Z	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
BLP05H635XRY, incluidos los componentes de las mismas	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
el número de unidad de control de la unidad de control de la unidad,112	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Las partidas 2 y 3	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
En el caso de las aeronaves de las categorías A, B y C.	RF Amplifier	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Amplifier	Ampleon los USA Inc.
TGA2963	RF Amplifier	Qorvo
Se trata de una serie de medidas de control.	RF Power Discrete Transistors	Qorvo
BLM9D3538-12AMZ: el equipo de seguridad de las instalaciones.	amplificador de radiofrecuencia	Ampleon los USA Inc.
Se trata de una serie de datos.	RF Power Discrete Transistors	Qorvo
TGF2934	RF Power Discrete Transistors	Qorvo
A2T07D160W04SR3	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se trata de una serie de medidas de control.	RF Amplifier	Qorvo
Se aplicará el método de ensayo siguiente:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
TP5002S	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
PTB20091	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
A2T09D400-23NR6 Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.	RF Amplifier	Ampleon los USA Inc.
Artículo 4	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de una serie de medidas de control.	RF Power Discrete Transistors	Qorvo
Se trata de un sistema de control de las emisiones.	RF Amplifier	Qorvo
TGA2578	RF Amplifier	Qorvo
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	amplificador de radiofrecuencia	Ampleon los USA Inc.
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	RF Amplifier	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
C2M60-28 y sus componentes	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors

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