Circuitos integrados - ICs Fabricante From China of page 318

parte #	Descripción	fabricante
El HMC550AE	IC MMIC SWITCH SPST 6GHZ SOT26	ADI / Analog Devices Inc.
Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes:	SWITCH SPDT DC-3.0GHZ SC70-6LD	Tecnología M/A-Com
Los datos de los datos de los Estados miembros se publicarán en el Diario Oficial de la Unión Europea.	IC MMIC SW DPDT 2.4/6GHZ 6TSON	CEL
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.	3T HMIC SWITCH W/BIAS NETWORK	Tecnología M/A-Com
Se aplicarán las siguientes medidas:	IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 12QFN	Semi
Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes:	SPDT 75 OHM HIGH ISOLATION	Tecnología M/A-Com
HMC347	IC GAAS MESFET SW SPDT DIE	ADI / Analog Devices Inc.
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades	HIGH ISOLATION, SP4T, 9KHZ - 12G	ADI / Analog Devices Inc.
HMC284MS8GE, también conocido como:	IC MMIC GAAS SW SPDT 8MSOP	ADI / Analog Devices Inc.
El HMC349MS8GE	IC GAAS MESFET SW SPDT 8MSOP	ADI / Analog Devices Inc.
Se trata de un producto que se utiliza para la fabricación de productos químicos.	IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 16-QFN	Semi
Las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros deben ser realizadas en el lugar de trabajo.	SWITCH SP4T 4MMQFN-24LD	Tecnología M/A-Com
Las condiciones de producción de los productos incluidos en el presente anexo son las siguientes:	RF SWITCH 6GHZ SMD	CEL
HMC641LP4ETR	IC SWITCH SP4T NON-REFL 24-QFN	ADI / Analog Devices Inc.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formato siguiente:	IC MMIC SPDT SWITCH 6-MINIMOLD	CEL
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.	SWITCH SP3T ASSYMETRICAL 8DFN	Tecnología M/A-Com
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	IC SW SPDT 2:1 REFL MUX 8-MSOP	ADI / Analog Devices Inc.
4231-52	IC RF SWITCH SPDT 75 OHM 8MSOP	Semi
Los datos de los datos de los Estados miembros deben ser publicados en el Diario Oficial de la Unión Europea.	IC SW SPDT 50MHZ-6GHZ 6-TSON	CEL
Se aplicarán las siguientes medidas:	IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 32QFN	Semi
Las condiciones de los productos deben ser las siguientes:	SWITCH SP2TM DIE	Tecnología M/A-Com
HMC547LP3TR	IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN	ADI / Analog Devices Inc.
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de pasajeros.	IC RF SWITCH SP3T 100W 16HQFN	Tecnología M/A-Com
El HMC922LP4ETR	IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN	ADI / Analog Devices Inc.
Se aplicarán los siguientes requisitos:	IC RF SWITCH SPDT FCD	Semi
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.	IC SWITCH SPDT 6-TSON	CEL
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Amplifier 3.3 - 3.8 GHz 34 dB	Qorvo
Se aplican los siguientes requisitos:	RF Amplifier	Qorvo
MHT1008NT1 y otros	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un documento de identificación.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.	Transistores discretos de potencia de RF	Qorvo
A3I25X050GNR1	RF Amplifier	NXP Semiconductors
C4H10P600AY	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
TGA2814	Amplifier, Power, 3.1- 3.6 GHz, 80W, 22 dB, 30V, DIE, GaN	Qorvo
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Amplifier	NXP Semiconductors
el número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control;11	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de una serie de medidas de control.	RF Amplifier CATV, 0.05 - 1.2 GHz 22.5dBm,22 dB, 75Ohm	Qorvo
Se aplicará a los productos de la categoría "A"	RF Amplifier 2.3 - 2.7 GHz 36 dB	Qorvo
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
El SD1222	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
AFT27S010NT1 y sus componentes	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
BLV861	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplican los siguientes requisitos:	RF Amplifier	Qorvo
TQP9221	RF Amplifier	Qorvo
BLP10H660PGY, incluidos los componentes de las máquinas de ensayo y los equipos de ensayo	Transistores discretos de potencia de RF	Ampleon los USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de la calidad.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
A5G23H110NT4	Transistores discretos de potencia de RF	NXP USA Inc.

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