Semiconductores electrónicos Fabricante From China of page 417

parte #	Descripción	fabricante
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.	DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive,128M,3.3V SDRAM,8Mx16,143Mhz	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia Europea para el Desarrollo Económico.	DRAM 4G, 1.5V, 1600Mhz DDR3	ISSI
Se aplicarán las siguientes medidas:	DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3 SDRAM	ISSI
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	DRAM 2G, 1.5V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3	ISSI
Se trata de una prueba de la complejidad de los productos.	DRAM Automotive 16M 3.3V SDRAM 1Mx16 143MHz	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea que se utilicen para la evaluación de las emisiones de gases de efecto invernadero deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 933Mhz	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR1 2.5v	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 4G, 1.35V, 1600MT/s DDR3 SDRAM	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.	DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 800Mhz	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 256Mb, 2.5V, 166MHz 64M x 8 DDR1	ISSI
El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control.	DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x 16bits, ALL	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks 64-MBIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM Memory IC	ISSI
Se aplicará el procedimiento siguiente:	DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 166Mhz 90 ball BGA	ISSI
Se aplican las siguientes medidas:	DRAM 2G, 1.5v, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM	ISSI
Se aplicará el procedimiento siguiente:	DRAM 4G, 1.5V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3	ISSI
El número de unidades de producción de los vehículos de transporte de pasajeros	DRAM 128M 4Mx32 143MHz SDRAM 3.3v	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive 256M,3.3V SDRAM,16Mx16,166MHz	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 256M (32Mx8) 166MHz DDR 2.5v	ISSI
Los datos de las pruebas de ensayo de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formulario de ensayo de ensayo.	DRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad.	DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R	ISSI
Se aplican las siguientes medidas:	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400Mhz RLDRAM2	ISSI
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDRAM	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R	ISSI
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de pruebas de ensayo.	DRAM 64M,3.3V,SDRAM,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V	ISSI
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.	DRAM 128M, 3.3V, 200Mhz SDR SDRAM	ISSI

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