Semiconductores electrónicos Fabricante From China of page 416

parte #	Descripción	fabricante
MCP4231-103E/P: el número de unidades de seguridad de las que se trate.	Digital Potentiometer ICs Dual 7B V SPI POT	Tecnología de microchips
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Digital Potentiometer ICs 10KOHM EEPOT(TMPOT CMOS 8LD COM	Intersil
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud.	Digital Potentiometer ICs ISL90842UIV1427Z LW NOISE LW PWR I2C BUS	Intersil
MCP4551T-503E/MS: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.	Digital Potentiometer ICs Sngl 8B V I2C POT	Tecnología de microchips
Se aplicará el procedimiento de ensayo.	Digital Potentiometer ICs Dual 256-step digital potentiometer, 100k ohm end to end resistance	Maxim integrado
MCP4651-502E/ST: el número de personas que pueden ser objeto de una solicitud de autorización.	Digital Potentiometer ICs Dual 8B V I2C POT	Tecnología de microchips
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.	Digital Potentiometer ICs 128 TAPVOLATILE I2C SNG RNG IND DCP 10LD	Intersil
AD5282BRUZ200	Digital Potentiometer ICs IC Dual 8-Bit I2C	Dispositivos analógicos
MCP4652-104E/ONU: las autoridades de los Estados miembros deben tener en cuenta los requisitos de seguridad.	Digital Potentiometer ICs Sngl 8B V I2C Rheo	Tecnología de microchips
MCP41100-I / SN	Digital Potentiometer ICs 256 Step SPI 100kOhm	Tecnología de microchips
MCP4018T-104E/LT	Digital Potentiometer ICs 100K I2C singl 7-bit volatile memory	Tecnología de microchips
AD5293BRUZ-100-RL7 y sus componentes	IC DGTL POT 1024POS 100K 14TSSOP	ADI / Analog Devices Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Digital Potentiometer ICs 256-pos 5v SPI 50-TP Mem Digi Rstat	Dispositivos analógicos
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz Leaded	ISSI
Las condiciones de las pruebas de seguridad se determinarán en el anexo IV.	DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz	ISSI
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008.	DRAM 512M 16Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v	ISSI
El número de unidades de producción será el siguiente:	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R	ISSI
Se aplican las siguientes medidas:	DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR SDRAM	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 1G, 1.5V, 1600MT/s 64Mx16 DDR3	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 64M (2Mx32) 200MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT	ISSI
Se aplicará el procedimiento siguiente:	DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded	ISSI
Se aplicarán las siguientes medidas:	DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2	DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM 576Mbit x9 Common I/O 300MHz Leaded IT	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 4G, 1.5V, 1600MT/s DDR3	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	DRAM 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 DDR SDRAM	ISSI
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.	DRAM 4G, 1.35V, 1333MT/s 512M x 8 DDR3L	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT	ISSI
Se aplicará el método siguiente:	DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS	ISSI
S27KS0641DPBHA023 Las autoridades competentes deberán tener en cuenta los siguientes elementos:	DRAM Nor	El ciprés semiconductor
El número de unidades de producción será el siguiente:	DRAM 128M 4Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V	ISSI
Se aplicará el método de ensayo de la norma ISO/IEC 17025 para la evaluación de la calidad de los productos.	DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDR SDRAM 3.3v	ISSI
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R	ISSI
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en todos los casos.	DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa.	DRAM 576Mbit x9 Common I/O 400Mhz RLDRAM2	ISSI
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.	DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC	ISSI
Se aplicará a los productos de las categorías IIa y IIIa, incluidos los productos de las categorías IIIa y IV.	DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia.	DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz Mobile SDRAM	ISSI
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.	DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 64Mx32 IT	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 576Mbit x18 Common I/O 400MHz Leaded IT	ISSI
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM	ISSI
Se aplicará el método de ensayo de la norma ISOFIX.	DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM	ISSI

414 415 416 417 418