Circuitos integrados - ICs Fabricante From China of page 427

parte #	Descripción	fabricante
Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.	Flash Memory 2.7V to 3.6V 8Mbit Multi-Prps Fl	Tecnología de microchips
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S25FL128SAGBHIA13 Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S29GL256P90TFCR20: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.	Flash Memory 256Mb 3.0-3.6V 90ns Parallel NOR Flash	El ciprés semiconductor
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.	Flash Memory 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, ET, T&R	ISSI
El número de unidades de seguridad de la aeronave será el siguiente:	Flash Memory 1Mb, 2.3V, 104Mhz Serial Flash	Tecnologías de Adesto
S29GL128S90FAI023: las condiciones de los productos y servicios de la Unión.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Flash Memory 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash	Tecnología de microchips
Se aplicará el método de clasificación de los productos.	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
S25FL256LDPBHI030 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías	Flash Memory Nor	El ciprés semiconductor
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se trata de un proyecto de investigación y desarrollo.	NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V 55ns nvSRAM	El ciprés semiconductor
Se aplicará el método de ensayo de la prueba de velocidad.	NVRAM 256Kb 25ns 32K x 8 AutoStore nvSRAM	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor	Maxim integrado
CG8639AMT	NVRAM F-RAM Memory Serial	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
No se puede utilizar.	NVRAM 16M NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el método de evaluación de la calidad.	NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento de ensayo.	NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID	Maxim integrado
En el caso de las personas que se encuentran en una situación de riesgo, el número de personas que se encuentran en una situación de riesgo es el siguiente:	NVRAM 16M NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 4096K NV SRAM	Maxim integrado
DS1225AB-85+	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	NVRAM 8M NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el método de evaluación de la calidad.	NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Las condiciones de los contratos de servicios de transporte de mercancías	NVRAM Non Volatile SRAMs	El ciprés semiconductor
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el método de evaluación de la calidad.	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos	NVRAM Non Volatile SRAMs	El ciprés semiconductor
Se aplicará el procedimiento de ensayo.	NVRAM 8M NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.	NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 16k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 64k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile	Maxim integrado
Se aplicará el método de ensayo.	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxim integrado
No se puede obtener información adicional.	NVRAM 16M NV SRAM	Maxim integrado
DS1270Y-70#	NVRAM 16M NV SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el método de ensayo.	NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM	Maxim integrado
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	NVRAM 8-SOIC-N, 2.7V, T&R, Sterilization Tolerant	Tecnologías de Adesto
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el procedimiento siguiente:	NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID	Maxim integrado
Se aplicará el método de ensayo.	NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor	Maxim integrado

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