Semiconductores electrónicos Fabricante From China of page 443

parte #	Descripción	fabricante
MT2F512G08CKCABH7-6R:A	IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ	Tecnología de micrones
MT4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4	IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA	Tecnología de micrones
MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4	IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA	Tecnología de micrones
MT4F4B4B4B4B4B4C	IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I	Tecnología de micrones
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M5	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	Tecnología de micrones
Se aplicarán las siguientes medidas:	IC FLASH 128G MMC 169WFBGA	Tecnología de micrones
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	Tecnología de micrones
El número de unidades de producción es el siguiente:	IC FLASH MEMORY 128MB	Productos electrónicos Winbond
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A	IC FLASH 16G PARALLEL 83MHZ	Tecnología de micrones
MT4A2G4WE-075E:D TR	IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ	Tecnología de micrones
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M	IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA	Tecnología de micrones
MX25L3235EM2L-10G	IC FLASH 32MBIT	MXIC, Macronix. ¿Qué quieres decir?
M29W064FT6AZA6F TR	IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA	Tecnología de micrones
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.	IC RAM 4G PARALLEL 170FBGA	Tecnología de micrones
MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M	IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA	Tecnología de micrones
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.	IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA	Tecnología de micrones
Las condiciones de los certificados de conformidad con el presente Reglamento serán las siguientes:	IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8DIP	Tecnología de microchips
MT3A1A2A2A2A2A2A2A3	SERIAL NOR SLC 64MX8 TBGA	Tecnología de micrones
M58WR032KU70ZA6U TR	IC FLASH 32M PARALLEL 44VFBGA	Tecnología de micrones
MT4A4G4NRE-075E:B	IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ	Tecnología de micrones
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR	IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ	Tecnología de micrones
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves que no cumplan los requisitos de la presente Directiva.	IC EEPROM 64K I2C 1MHZ SOT23-5	Tecnología de microchips
RD28F1604C3TD70SB93	IC FLASH RAM 16MIT PARAL 66SCSP	Información
MT4D8D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D4D	SPECIAL/CUSTOM LPDDR4	Tecnología de micrones
S29AL032D70TFI030: el número de unidades de producción de las que se trate.	32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory	Spansion/Cypress
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4	IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA	Tecnología de micrones
MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F	IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA	Tecnología de micrones
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	Tecnología de micrones
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA	Productos electrónicos Winbond
El número de aeronave que debe utilizarse para el vuelo de aterrizaje	IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP	Tecnología de microchips
N25Q128A11ESE40G	IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO	Tecnología de micrones
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4	IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA	Tecnología de micrones
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad d	IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP	Tecnología de micrones
MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A	IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA	Tecnología de micrones
Se aplicará el procedimiento siguiente:	IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA	Tecnología de micrones
MT5M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2	IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA	Tecnología de micrones
MX29GL512EHT2I-10Q: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción	IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP	MXIC, Macronix. ¿Qué quieres decir?
MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4	IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	Tecnología de micrones
El objetivo de las medidas de seguridad es:	EPROM 70NS, PLCC, IND TEMP, GREEN	Atmel/tecnología del microchip
El objetivo de las medidas de seguridad es:	EPROM 512Kb (64Kx8) OTP 5V 70ns	Atmel/tecnología del microchip
El número de la autoridad competente es el siguiente:	EPROM EPROM	Información
El número de la autoridad competente es el siguiente:	EPROM EPROM	Información
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga	EPROM 8Mb (1024x 8) OTP 5V 90ns	Atmel/tecnología del microchip
DS2502G+T&R	EPROM 1Kb Add-Only Memory	Maxim integrado
El número de la autoridad competente es el siguiente:	EPROM EPROM	Información
El número de la autoridad competente es el siguiente:	EPROM EPROM	Información
El objetivo de la presente Directiva es:	EPROM EPROM	Información
Se trata de un sistema de control de las emisiones.	Memory Controllers DeepCover Sercurity Mgr w/64B SRAM	Maxim integrado
Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de detección.	Memory Controllers EZ-USB NX2LP USB 2.0 NAND Controller	El ciprés semiconductor
La autoridad competente podrá adoptar medidas para evitar que se produzca una infracción de la presente Directiva.	Security ICs / Authentication ICs ECDH/ECC 10Kb 8ld XDFN I2C, T&R	Atmel/tecnología del microchip

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