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Semiconductores electrónicos

Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

NVRAM 8-SOIC-N, 2.7V, T&R, Sterilization Tolerant
Tecnologías de Adesto
calidad [#varpname#] fábrica

DS1245AB-120+

NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 256Kb 45ns 32K x 8 AutoStore nvSRAM
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

RM24EP128A-BSNC-T

NVRAM 128Kb, 2.7V Commercial temp
Tecnologías de Adesto
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

NVRAM 3.3V 1024K SRAM Nonvolatile
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

CG7976AA

NVRAM Non Volatile SRAMs
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

NVRAM 3.3V 8M NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2003.

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

CAS 5140ZI-50-GT3 y sus derivados

NVRAM DPP NONVOL SGL 256TAP I2C
en semi
calidad [#varpname#] fábrica

En el caso de las personas con discapacidad.

NVRAM 2048K NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de ensayo.

NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 17046.

NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones.

NVRAM Radiation Resistant 1-Wire ROM ID
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008.

NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplican los siguientes requisitos:

NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2003.

NVRAM 64K Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de ensayo de los datos.

NVRAM 256Kb 45ns 32K x 8 AutoStore nvSRAM
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de clasificación de los productos.

NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 4096K NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de ensayo.

NVRAM 4096K NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.

NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de una serie de medidas de seguridad.

NVRAM 16M NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de los contratos de servicios de transporte de mercancías

NVRAM Non Volatile SRAMs
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento de ensayo.

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 256Kb 45ns 32K x 8 SoftStore nvSRAM
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de ensayo.

NVRAM 64Kb 45ns 8K x 8 AutoStore nvSRAM
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

Las demás partidas del presente anexo

NVRAM Non Volatile SRAMs
El ciprés semiconductor
calidad [#varpname#] fábrica

No se puede utilizar.

NVRAM 2048K NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

NVRAM 4096K NV SRAM
Maxim integrado
calidad [#varpname#] fábrica

El número de unidad de control de la aeronave es:

EEPROM SEEPROM, 8K, 2W - 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N
Atmel/tecnología del microchip
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de las pruebas de seguridad se especifican en el anexo IV.

EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.

EEPROM 64K, 8Kx8 2.5V SER EE, EXT
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

El número de unidad de control de la aeronave será el siguiente:

EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 8-SOIC
Atmel/tecnología del microchip
calidad [#varpname#] fábrica

Las partes de los equipos de ensayo deberán estar equipadas con un equipo de ensayo de alta precisión y de alta precisión.

EEPROM 4K, 512 X 8 OR 256X16 SERIAL EE,EXT
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de los certificados de conformidad con el artículo 4, apartado 2, del Reglamento (UE) n.o 1308/2013

EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de los certificados de conformidad con el presente Reglamento serán las siguientes:

EEPROM 256x8 - 2.5V
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los Estados miembros son las siguientes:

EEPROM 512K 64K X 8 3V SER EE, EXT
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

25AA256-I/ST, incluidos los demás

EEPROM 32kx8 - 1.8V
Tecnología de microchips
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

EEPROM 1.8V
Atmel/tecnología del microchip
calidad [#varpname#] fábrica

La autoridad competente podrá adoptar medidas para garantizar que los datos de los datos de seguridad de las instalaciones estén disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

EEPROM Crypto Products, ECC 8kb
Atmel/tecnología del microchip
calidad [#varpname#] fábrica

25AA080C-I/P

EEPROM 8K 1K X 8 16B PAGE 1.8V SER EE IND
Tecnología de microchips
429 430 431 432 433