Semiconductores electrónicos Fabricante From China of page 319

parte #	Descripción	fabricante
HMC641LP4ETR	IC SWITCH SP4T NON-REFL 24-QFN	ADI / Analog Devices Inc.
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formato siguiente:	IC MMIC SPDT SWITCH 6-MINIMOLD	CEL
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.	SWITCH SP3T ASSYMETRICAL 8DFN	Tecnología M/A-Com
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	IC SW SPDT 2:1 REFL MUX 8-MSOP	ADI / Analog Devices Inc.
4231-52	IC RF SWITCH SPDT 75 OHM 8MSOP	Semi
Los datos de los datos de los Estados miembros deben ser publicados en el Diario Oficial de la Unión Europea.	IC SW SPDT 50MHZ-6GHZ 6-TSON	CEL
Se aplicarán las siguientes medidas:	IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 32QFN	Semi
Las condiciones de los productos deben ser las siguientes:	SWITCH SP2TM DIE	Tecnología M/A-Com
HMC547LP3TR	IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN	ADI / Analog Devices Inc.
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de pasajeros.	IC RF SWITCH SP3T 100W 16HQFN	Tecnología M/A-Com
El HMC922LP4ETR	IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN	ADI / Analog Devices Inc.
Se aplicarán los siguientes requisitos:	IC RF SWITCH SPDT FCD	Semi
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.	IC SWITCH SPDT 6-TSON	CEL
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Amplifier 3.3 - 3.8 GHz 34 dB	Qorvo
Se aplican los siguientes requisitos:	RF Amplifier	Qorvo
MHT1008NT1 y otros	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un documento de identificación.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.	Transistores discretos de potencia de RF	Qorvo
A3I25X050GNR1	RF Amplifier	NXP Semiconductors
C4H10P600AY	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
TGA2814	Amplifier, Power, 3.1- 3.6 GHz, 80W, 22 dB, 30V, DIE, GaN	Qorvo
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Amplifier	NXP Semiconductors
el número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control;11	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de una serie de medidas de control.	RF Amplifier CATV, 0.05 - 1.2 GHz 22.5dBm,22 dB, 75Ohm	Qorvo
Se aplicará a los productos de la categoría "A"	RF Amplifier 2.3 - 2.7 GHz 36 dB	Qorvo
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
El SD1222	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
AFT27S010NT1 y sus componentes	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
BLV861	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplican los siguientes requisitos:	RF Amplifier	Qorvo
TQP9221	RF Amplifier	Qorvo
BLP10H660PGY, incluidos los componentes de las máquinas de ensayo y los equipos de ensayo	Transistores discretos de potencia de RF	Ampleon los USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de la calidad.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
A5G23H110NT4	Transistores discretos de potencia de RF	NXP USA Inc.
BLP05H6700XRY, incluidos los componentes de las mismas.	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Amplifier	Qorvo
Se trata de un vehículo de la categoría N.	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
A3I20X050GNR3	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Transistores discretos de potencia de RF	Ampleon los USA Inc.
A5G26H110NT4	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se aplicará el procedimiento siguiente:	RF Power Discrete Transistors	NXP USA Inc.
Se aplicarán las siguientes medidas:	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors
Se trata de un documento de identificación.	Transistores discretos de potencia de RF	NXP Semiconductors
Se trata de un vehículo de la categoría "B"112	RF Power Discrete Transistors	Ampleon los USA Inc.
AFT27S006NT1	RF Power Discrete Transistors	NXP Semiconductors

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