Hogar > productos > Semiconductores electrónicos > ADI / Analog Devices Inc. AD5541 CRZ-REEL7 y sus subsidiarios

ADI / Analog Devices Inc. AD5541 CRZ-REEL7 y sus subsidiarios

fabricante:
ADI / Analog Devices Inc.
Descripción:
AD5541CRZ-REEL7 amplificador de potencia GaAs pHEMT MMIC (circuito integrado de microondas monolític
Categoría:
Semiconductores electrónicos
En existencia:
1000000
AD5541_5542.pdf
Especificaciones
Rango de frecuencia:
de 6 a 9,5 GHz
Ganancias:
21 dB (típico)
Eficiencia agregada de energía (EAP):
23% a la potencia máxima de salida
Voltado de suministro de drenaje (Vdd):
+7V (típico)
Corriente de suministro:
820 mA a 7 V
Pérdida de vuelta entrada:
15 dB (típico)
Interceptación de tercer orden de salida (OIP3):
+42 dBm (típico)
Introducción

ElHMC590LP5Ees un sistema de alto rendimientoAmplificador de potencia GaAs pHEMT MMIC (circuito integrado de microondas monolítico)diseñado por Analog Devices para aplicaciones en el rango de frecuencia dede 6 a 9,5 GHzA continuación se muestra un resumen completo de sus principales especificaciones y características:

Especificaciones clave:

  1. Rango de frecuencia:de 6 GHz a 9,5 GHz.
  2. Potencia de salida:
    • P1dB (1 punto de compresión de dB):+29 dBm.
    • Potencia de salida saturada (Psat):+31 dBm (1 vatios).
  3. Ganancias:21 dB (típico).
  4. Eficiencia añadida de energía (EAP):23% a la potencia máxima de salida.
  5. Voltado de suministro de drenaje (Vdd):+7V (típico).
  6. Corriente de suministro:820 mA a 7 V. No hay necesidad de que lo haga.
  7. Pérdida de retorno de entrada:15 dB (típico).
  8. Interceptación de tercer orden de salida (OIP3):+42 dBm (típico).
  9. Tipo de paquete:32 QFN de plomo (5 mm x 5 mm) para aplicaciones de montaje en superficie.
  10. Rango de temperatura de funcionamiento:-55oC a +85oC.

Características:

  • Se aplicará el método de ensayo de las partidas.Simplifica el diseño del sistema eliminando los componentes externos de correspondencia.
  • Alta linealidad:Asegura un rendimiento fiable en aplicaciones que requieren una baja distorsión.
  • Diseño robusto:Resiste ±200V ESD (HBM) y soporta una alta disipación térmica.

Aplicaciones:

  • Radios de microondas y enlaces punto a punto:Mejora la comunicación de largo alcance con alta potencia de salida y bajo ruido.
  • Sistemas militares y aeroespaciales:Adecuado para radar y sistemas de comunicación seguros.
  • El equipo:Se utiliza en equipos de prueba de RF que requieren precisión y potencia.

Ventajas:

  • Diseño compacto:Ideal para circuitos de RF con espacio limitado.
  • Rendimiento eficiente:Ofrece una alta ganancia y potencia de salida con una excelente gestión térmica.
Envíe el RFQ
Común:
1000000
MOQ: