Se aplicará el procedimiento siguiente:
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.5 dB
Output Power ::
55 W
Package / Case ::
H-37260-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
65 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
1.85 A
Rds On - Drain-Source Resistance ::
0.04 Ohms at 10 V
Manufacturer ::
Infineon Technologies
Introducción
El PTFA092201F V4 R250, de Infineon Technologies, son transistores RF MOSFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
Tecnologías Infineon Semiconductores RF BAR 64-06W H6327 |
PIN Diodes RF DIODE
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: