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fabricante:
MACOM
Descripción:
Transistores RF JFET DC-4.0GHz P1dB 43dBm Ganancia 13dB GaN
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Introducción
El NPT1012B,de MACOM,es RF JFET Transistors. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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