Hogar > productos > Semiconductores electrónicos > CGHV14500F, el cual es el más reciente

CGHV14500F, el cual es el más reciente

fabricante:
Wolfspeed/Cree
Descripción:
RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
17.1 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
510 W
Package / Case ::
440117
Maximum Operating Temperature ::
+ 130 C
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
Las demás:
Packaging ::
Tube
Maximum Drain Gate Voltage ::
-
Id - Continuous Drain Current ::
36 A
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta::
- 10 V a + 2 V
Pd - Power Dissipation ::
-
Fabricante::
Wolfspeed/Cree
Introducción
El CGHV14500F, de Wolfspeed / Cree, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
Imagen parte # Descripción
calidad [#varpname#] fábrica

CGHV35150F: el uso de las mismas.

RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

CGH40120F: el número de unidades de producción

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

CGH40090PP

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el procedimiento siguiente:

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

CGH27060F

RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

CGHV40050F: el nombre de la empresa.

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
calidad [#varpname#] fábrica

CGH60060D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: