Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Qorvo
Descripción:
Transistores RF JFET DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% a 3.3GHz El transistores de RF JFET también se utiliz
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta::
- 2,9 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introducción
El TGF2819-FL,de Qorvo,son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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