Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN
Categoría de productos::
Transistores de RF JFET
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Potencia de salida::
80 W
Package / Case ::
440210
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 150 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
-
Id - Continuous Drain Current ::
6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 10 V to + 2 V
Pd - Power Dissipation ::
-
Manufacturer ::
Wolfspeed / Cree
Introducción
El CGHV96050F1, de Wolfspeed / Cree, es RF JFET Transistors. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
CGHV35150F: el uso de las mismas.
RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
CGH40120F: el número de unidades de producción
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
CGH40090PP
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
CGH27060F
RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
CGHV40050F: el nombre de la empresa.
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)
CGH60060D
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Imagen | parte # | Descripción | |
---|---|---|---|
![]() |
CGHV35150F: el uso de las mismas. |
RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
|
|
![]() |
CGH40120F: el número de unidades de producción |
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
|
|
![]() |
CGH40090PP |
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
|
|
![]() |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
|
|
![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
|
|
![]() |
CGH27060F |
RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
|
|
![]() |
CGHV40050F: el nombre de la empresa. |
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
|
|
![]() |
CGH60060D |
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: