T1G4012036-FL: las condiciones de los productos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
117 W
Output Power ::
24 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
Introducción
El T1G4012036-FL, de Qorvo, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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