Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.
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fabricante:
NXP Semiconductors
Descripción:
RF JFET Transistores de banda ancha potencia de RF GaN HEMT
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Package / Case ::
SOT1227B
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
150 V
Embalaje::
El tubo
Id - Continuous Drain Current ::
5.1 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Introducción
El CLF1G0060S-30U, de NXP Semiconductors, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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