No se puede hacer más.
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Tecnología::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Estilo de montaje::
DSM/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
36 W
Package / Case ::
NI780-4
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
210 mA
Pd - Power Dissipation ::
18.6 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introducción
El QPD2730, de Qorvo, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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