Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.9 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introducción
El TGF2819-FS,de Qorvo,son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: