Se aplicará el procedimiento siguiente:
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fabricante:
MACOM
Descripción:
Transistores RF JFET DC-6.0GHz 5W Ganancia 16dB GaN HEMT
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
11.6 W
Package / Case ::
SOIC
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2 mA
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta::
3 mA
Manufacturer ::
MACOM
Introducción
El NPTB00004A, de MACOM, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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