Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
22 W
Package / Case ::
QFN-20
Maximum Operating Temperature ::
+ 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
1.8 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Paladio - disipación de poder::
49 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introducción
El TGF2979-SM,de Qorvo,son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: