Se aplicarán los siguientes requisitos:
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fabricante:
CEL
Descripción:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Polaridad del transistor::
N-canal
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Ganancias::
DB 14
Transistor Type ::
HFET
Paladio - disipación de poder::
175 mW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Introducción
El NE3508M04-T2-A,de CEL,son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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