El Consejo Europeo
Especificaciones
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Tecnología::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Tipo de transistor::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.64 W
Temperatura máxima de funcionamiento::
+ 150 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
58 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introducción
El TGF2018, de Qorvo, son transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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