J111,126
Especificaciones
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Through Hole
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
400 mW
Envase / estuche::
TO-92
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
40 V
Packaging ::
Ammo Pack
Id - Continuous Drain Current ::
20 mA
Vgs - Tensión de ruptura de la fuente de la puerta::
40 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Introducción
El J111,126, de NXP Semiconductors, son los transistores RF JFET. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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