A3T19H455W23SR6
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fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
RF Power Discrete Transistors
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16.4
Avg Power (W) ::
81
Frequency Min (GHz) ::
1.93
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.99
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introducción
El A3T19H455W23SR6, de NXP USA Inc., es un amplificador de RF. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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