El objetivo de la medida es el cumplimiento de los requisitos de seguridad establecidos en el anexo I.
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fabricante:
Toshiba
Descripción:
Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM
Categoría:
Semiconductores electrónicos
Especificaciones
Product Category ::
Flash Memory
Memory Type ::
NAND
Mounting Style ::
SMD/SMT
Memory Size ::
4 Gbit
Packaging ::
Tray
Package / Case ::
TFBGA-63
Series ::
TH58BYG2S3
Interface Type ::
Parallel
Operating Temperature Range ::
- 40 C to + 85 C
Manufacturer ::
Toshiba
Introducción
El TH58BYG2S3HBAI4, de Toshiba, es una memoria flash. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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