El HMC590LP5E es un amplificador de potencia GaAs pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) de alto rendimiento diseñado por Analog Devices

ElHMC590LP5Ees un sistema de alto rendimientoAmplificador de potencia GaAs pHEMT MMIC (circuito integrado de microondas monolítico)diseñado por Analog Devices para aplicaciones en el rango de frecuencia dede 6 a 9,5 GHzA continuación se muestra un resumen completo de sus principales especificaciones y características:

Especificaciones clave:

1. Rango de frecuencia:de 6 GHz a 9,5 GHz.
2. Potencia de salida:
   • P1dB (1 punto de compresión de dB):+29 dBm.
   • Potencia de salida saturada (Psat):+31 dBm (1 vatios).
3. Ganancias:21 dB (típico).
4. Eficiencia añadida de energía (EAP):23% a la potencia máxima de salida.
5. Voltado de suministro de drenaje (Vdd):+7V (típico).
6. Corriente de suministro:820 mA a 7 V. No hay necesidad de que lo haga.
7. Pérdida de retorno de entrada:15 dB (típico).
8. Interceptación de tercer orden de salida (OIP3):+42 dBm (típico).
9. Tipo de paquete:32 QFN de plomo (5 mm x 5 mm) para aplicaciones de montaje en superficie.
10. Rango de temperatura de funcionamiento:-55oC a +85oC.

Características:

• Se aplicará el método de ensayo de las partidas.Simplifica el diseño del sistema eliminando los componentes externos de correspondencia.
• Alta linealidad:Asegura un rendimiento fiable en aplicaciones que requieren una baja distorsión.
• Diseño robusto:Resiste ±200V ESD (HBM) y soporta una alta disipación térmica.

Aplicaciones:

• Radios de microondas y enlaces punto a punto:Mejora la comunicación de largo alcance con alta potencia de salida y bajo ruido.
• Sistemas militares y aeroespaciales:Adecuado para radar y sistemas de comunicación seguros.
• El equipo:Se utiliza en equipos de prueba de RF que requieren precisión y potencia.

Ventajas:

• Diseño compacto:Ideal para circuitos de RF con espacio limitado.
• Rendimiento eficiente:Ofrece una alta ganancia y potencia de salida con una excelente gestión térmica.